HK-MCR
外形结构与油浸式变压器基本相似，主要由壳体、磁阀式铁芯、绕组和变压器油等部分组成。壳体采用与油浸变压器相同的设计结构，壳体内部并排安装三组相同的单相磁阀式可控电抗器，组成三角形接线方式，其高压进线和控制绕组进出线，由壳体顶部通过绝缘瓷瓶连接，励磁控制箱安装固定在壳体外部。
每个单相磁阀式可控电抗器的结构如图所示，采用四柱式结构，由两个等截面的主铁芯和为使电抗器的电流正负半波对称的两个等截面旁轭组成，中间两柱的每柱中间部分有一段小截面的铁芯构成磁阀，并将两柱分别分为上下两段，每段上各套有一个绕组，上段的上部两个绕组和下段的下部两个绕组分别并联在一起，上段的下部两个绕组端和下段的上部两个绕组端则交叉串联连接，每柱的上绕组的下部和下绕组的上部均设有中间抽头，每柱上、下两个中间抽头间接有一只可控硅，且两柱上的可控硅极性相反，中间交叉点的两端之间接有一只二极管。
当电抗器接至电源电压时，在可控硅的两端感应出电压。该电压正半周触发导通可控硅T1,在回路中产生直流控制电流；电源电压负半周触发导通可控硅T2，也在回路中形成直流控制电流。使电抗器工作铁芯饱和，输出电流增加。可控电抗器输出电流的大小取决于可控硅的控制角α，α越小，产生的控制电流越强，从而可控电抗器的工作铁芯磁饱和程度越高，输出的电流越大。因此，改变可控硅的控制角，可以平滑调节电抗器的容量，从而线性调节感性无功功率。
基本原理
PF支路向系统提供固定容性无功, HK-MCR的控制不封采集系统母线电压，负载电流和HK-MCR支路电流模拟量信号，经过控制算法的计算，得出可控硅触发角，经光电转换生成模拟量给定信号，形成控制可控硅导通角的触发脉冲，再将信号进行整形放大，对可控硅的导通状态进行移相控制，实现动态调节HK-MCR支路感性无功，以平衡多余的容性无功，使用户流入电网的无功功率趋于零。
型号说明
技术特点
1、控制系统采用DSP全数字处理芯片，具有高度的可靠性和稳定性，而且运算速度快，能够实现复杂的运算。
2、模块化设计，扩展灵活。
3、可控硅采用高质量元件，高压取能，光电触发，BOD保护，系统抗干扰强，运行可靠。
4、监控部分有上位监控机，人机显示界面及其它的相应终端器件构成，可以对系统的电能质量进行实时、连续的监测。
5、可以直接挂到6kV、10kV、35kV的电压等级的电网上。
6、可实现三相同时控制，分相控制和三相平衡控制。
7、提供RS232、RS485以及CAN总线等通讯接口，便于实现远程控制和无人值守。 8、具有硬保护和后备微机保护。
装置构成：HK-MCR型SVC由磁控电抗器、控制保护监控系统、滤波支路和各种附件组成。
技术说明：
1、电压等级：6～35kV
2、动态相应时间：0.1s
3、三相平衡化功能
4、自身谐波含量小，3次谐波电流是额定基波电流的7％左右，5次谐波电流为2.5％左右。
5、伏安特性：在一定的导通角下，磁控电抗器的伏安特性近似线性。
无功调节范围是0～100％，使用后的功能因数能达到0.93以上。 |
